SABER-ULA, Universidad de Los Andes - Mérida - Venezuela >
Facultades >
Facultad de Ciencias >
Unidades de Investigación de la Facultad de Ciencias >
Laboratorios de Investigación >
Laboratorio de Cristalografía >
Articulos, Pre-prints (Laboratorio de Cristalografía) >


Título: Síntesis y caracterización de los compuestos ternarios Cu2GeSe3 y Cu2GeTe3
Autores: Villarreal, Manuel
Pirela B., María E.
Velásquez Velásquez, Ana
Mora, Asiloé J.
Fernández, Braulio J.
Delgado, Gerzon
Correo Electrónico: mavu@ula.ve
mpireira@ula.ve
anita@ula.ve
asiloe@ula.ve
braulio@ula.ve
gerzon@ula.ve
Editor: SABER ULA
Resumen: Síntesis y caracterización de los compuestos ternarios Cu2GeSe3 y Cu2GeTe3 Villarreal, Manuel ; Fernández, B.J.; Pirela, María; Velásquez-Velásquez, Ana; Mora, Asiloé J.; Delgado, Gerzon Resumen En este trabajo se presenta la síntesis y caracterización de los compuestos ternarios Cu2GeSe3 y Cu2GeTe3. Las muestras fueron sintetizadas utilizando la técnica de fusión directa. El análisis químico (EDX) permitió establecer las relaciones estequiométricas 2:1:3 para ambos compuestos. El análisis termo-diferencial (ATD) muestra la existencia de una fase única que funde a 765 °C para el Cu2GeSe3 y de una fase principal que funde a 504 °C para el Cu2GeTe3. En este último compuesto también se detecta una fase secundaria a 357 °C, pero con un área de pico menor del 5% del área total. El análisis por difracción de rayos-X indica que ambos compuestos cristalizan en el sistema ortorrómbico con grupo espacial Imm2 y parámetros de celda unidad: a = 11.8616(3) Å, b = 3.9525(1) Å, c = 5.4879(1) Å, V = 257.29(1) Å3 para Cu2GeSe3, y a = 12.6406(6) Å, b = 4.2115(2) Å, c = 5.9261(2) Å, V = 315.48(2) Å3 para Cu2GeTe3. Abstract This work reports the synthesis and characterization of the ternary compounds Cu2GeSe3 and Cu2GeTe3. Both samples were synthesized by using the direct fusion technique. The chemical analysis (EDX) confirmed the 2:1:3 stoichiometric ratio for both compounds. The thermal differential analysis (ATD) showed the existence of a single phase for Cu2GeSe3 that melts at 765 °C, and a principal phase for Cu2GeTe3 that melts at 504 °C. In the last compound, a second transition at 357 °C is also observed but with a peak area of less than 5% of total area, approximately. The X-ray powder diffraction analysis indicated that both compounds crystallize in the orthorhombic space group Imm2, with unit cell parameters: a = 11.8616(3) Å, b = 3.9525(1) Å, c = 5.4879(1) Å, V = 257.29(1) °A3 for Cu2GeSe3, and a = 12.6406(6) Å, b = 4.2115(2) Å, c = 5.9261(2) Å, V= 315.48(2) Å3 for Cu2GeTe3. Artículo publicado en: Materia Condensada. Revista Mexicana de Física 49 Suplemento 3, 198-200 Noviembre 2003.
Fecha: 27-Mar-2008
Palabras Claves: Semiconductores
Análisis térmico
Difracción de rayos-X en muestras policristalinas
Palabras Clave: Semiconductors
Thermal analysis
X-ray powder diffraction
URI: http://www.saber.ula.ve/handle/123456789/16284
Aparece en colecciones:Articulos, Pre-prints (Laboratorio de Cristalografía)
Articulos, Pre-prints (Facultad de Ciencias)
Articulos, Pre-prints (Centro de Estudios de Semiconductores)

Archivos en estos artículos:

Archivo Descripción TamañoFormato
sintesis_caracterizacion.pdf268.23 kBAdobe PDFVer/Abrir
resumen.htm2.94 kBHTMLVer/Abrir

Todos los artículos en Dspace están protegidos con Derecho de Autor, todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.

 

Licencia Creative Commons
Todos los documentos publicados en este repositorio se distribuyen bajo una
Licencia Creative Commons Atribución-NoComercial-CompartirIgual 3.0 Venezuela.

Repositorio Institucional de la Universidad de Los Andes, Mérida, Venezuela - Comentarios
Software DSpace Copyright © 2002-2007 MIT and Hewlett-Packard -
DSpace Add-on Statistics of RepositóriUM © University of Minho.