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Síntesis y caracterización de los compuestos ternarios Cu2GeSe3 y Cu2GeTe3

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sintesis_caracterizacion.pdf (268.2Kb)
resumen.htm (2.943Kb)
Data
2008-03-27
Autor
Villarreal, Manuel
Pirela B., María E.
Velásquez Velásquez, Ana
Mora, Asiloé J.
Fernández, Braulio J.
Delgado, Gerzon
Palabras Clave
Semiconductores, Análisis térmico, Difracción de rayos-X en muestras policristalinas
Semiconductors, Thermal analysis, X-ray powder diffraction
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Resumo
Síntesis y caracterización de los compuestos ternarios Cu2GeSe3 y Cu2GeTe3 Villarreal, Manuel ; Fernández, B.J.; Pirela, María; Velásquez-Velásquez, Ana; Mora, Asiloé J.; Delgado, Gerzon Resumen En este trabajo se presenta la síntesis y caracterización de los compuestos ternarios Cu2GeSe3 y Cu2GeTe3. Las muestras fueron sintetizadas utilizando la técnica de fusión directa. El análisis químico (EDX) permitió establecer las relaciones estequiométricas 2:1:3 para ambos compuestos. El análisis termo-diferencial (ATD) muestra la existencia de una fase única que funde a 765 °C para el Cu2GeSe3 y de una fase principal que funde a 504 °C para el Cu2GeTe3. En este último compuesto también se detecta una fase secundaria a 357 °C, pero con un área de pico menor del 5% del área total. El análisis por difracción de rayos-X indica que ambos compuestos cristalizan en el sistema ortorrómbico con grupo espacial Imm2 y parámetros de celda unidad: a = 11.8616(3) Å, b = 3.9525(1) Å, c = 5.4879(1) Å, V = 257.29(1) Å3 para Cu2GeSe3, y a = 12.6406(6) Å, b = 4.2115(2) Å, c = 5.9261(2) Å, V = 315.48(2) Å3 para Cu2GeTe3. Abstract This work reports the synthesis and characterization of the ternary compounds Cu2GeSe3 and Cu2GeTe3. Both samples were synthesized by using the direct fusion technique. The chemical analysis (EDX) confirmed the 2:1:3 stoichiometric ratio for both compounds. The thermal differential analysis (ATD) showed the existence of a single phase for Cu2GeSe3 that melts at 765 °C, and a principal phase for Cu2GeTe3 that melts at 504 °C. In the last compound, a second transition at 357 °C is also observed but with a peak area of less than 5% of total area, approximately. The X-ray powder diffraction analysis indicated that both compounds crystallize in the orthorhombic space group Imm2, with unit cell parameters: a = 11.8616(3) Å, b = 3.9525(1) Å, c = 5.4879(1) Å, V = 257.29(1) °A3 for Cu2GeSe3, and a = 12.6406(6) Å, b = 4.2115(2) Å, c = 5.9261(2) Å, V= 315.48(2) Å3 for Cu2GeTe3. Artículo publicado en: Materia Condensada. Revista Mexicana de Física 49 Suplemento 3, 198-200 Noviembre 2003.
URI
http://www.saber.ula.ve/handle/123456789/16284
Colecciones
  • Articulos, Pre-prints (Centro de Estudios de Semiconductores)
  • Articulos, Pre-prints (Facultad de Ciencias)
  • Articulos, Pre-prints (Laboratorio de Cristalografía)
Información Adicional
Correo Electrónicomavu@ula.ve
mpireira@ula.ve
anita@ula.ve
asiloe@ula.ve
braulio@ula.ve
gerzon@ula.ve
EditorSABER ULA

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