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Título: Estudio de la magneto resistencia en el compuesto ternario Cu2GeSe3
Otros Títulos: Study of the magnetoresistence in the ternary compound CuGeSe
Autores: Villarreal, Manuel
Fernández, Braulio J.
Correo Electrónico: mavu@ula.ve
braulio@ula.ve
Editor: SABER ULA
Resumen: Estudio de la magneto resistencia en el compuesto ternario Cu2GeSe3 Villarreal, Manuel y Fernández, Braulio J. Resumen En este trabajo presentamos el estudio de la magnetoresistencia Ap / po del compuesto ternario Cu2GeSe3 tipo-p en función de campo magnético, de 2 a 16 kG, y en un rango de temperaturas de 80 a 300 K. DEl ajuste de la magnetoresistencia se obtienen los valores de la movilidad de arrastre de los portadores, observandose una clara dependencia con la movilidad de Hall, donde el factor de Hall es cercano a la unidad. Study of the magnetoresistence in the ternary compound Cu2GeSe3 Villarreal, Manuel y Fernández, Braulio J. Abstract In this work we present the study of the magnetoresistance Ap / po of the ternary compound Cu2GeSe3 depending on magnetic field, from 2 to 16 kg, and in a range of temperatures from 80 to 300 K. Of the adjustment of the magnetoresistence there are obtained the values of the mobility if dragging of the carriers, a clear dependence being observed by Hall's mobility, where Hall's factor is near to the unit. Artículo publicado en: Revista Ciencia 14 (3), julio - septiembre 2006, 309-312. Maracaibo, Venezuela.
Fecha: 23-May-2008
Palabras Claves: Nuevos materiales
Magnetorresistencia
Semiconductores
Palabras Clave: New materials
Magnetoresistance
Semiconductors
URI: http://www.saber.ula.ve/handle/123456789/16946
Aparece en colecciones:Articulos, Pre-prints (Facultad de Ciencias)
Articulos, Pre-prints (Centro de Estudios de Semiconductores)

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