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Título: Síntesis y caracterización del material ternario Ag2SnSe3 dopado con galio.
Autores: Pirela B., María E.
Villarreal, Manuel
Velásquez Velásquez, Ana
Fernández, Braulio J.
Vivas, L.
Sánchez Pérez, Gerardo
Correo Electrónico: mpireira@ula.ve
mavu@ula.ve
anita@ula.ve
braulio@ula.ve
Editor: SABER ULA
Resumen: Síntesis y caracterización del material ternario Ag2SnSe3 dopado con galio. Pirela B., María E.; Velásquez Velásquez, Ana; Villarreal, Manuel; Fernández, Braulio J.; Vivas, L. and Sánchez Pérez, Gerardo Resumen En este trabajo presentamos la síntesis y caracterización del material ternario Ag2SnSe3dopado con Galio (Ga). Las muestras fueron sintetizadas por fusión directa de sus elementos en estequiometria 2:1:3 con dopaje de Ga de 100, 1000 y 10000 ppm. El análisis químico (EDX) permitió establecer las relaciones estequiométricas. El análisis térmico diferencial (DTA) indica la existencia de una fase principal alrededor de 503±C asociado al punto de fusión de los materiales y un pico alrededor de 101±C aún sin interpretación. El análisis de difracción de rayos-X indica que el material Ag2SnSe3cristaliza con fase principal en el sistema monoclínico con grupo espacial Cc, y parámetros de celda unidad: a = 7.18 A, b = 10.55 A, c = 6.70 A, β= 111.98ºC, y segundas fases, siendo identificada hasta el momento SnSe2. Abstract In this work we report the synthesis and characterization of the ternary material Ag2SnSe3 doped with Gallium (Ga). The samples were synthesized by direct melting of their elements in stoichimetric 2:1:3 doped with 100, 1000 and 10000 ppm of Ga. The chemical analysis (EDX) allowed us to establish the stoichiometric relationships. The differential thermal analysis (DTA) indicates the existence of a main phase around 503±C associated to the melting point of the materials and a peak around 101±C, still without interpretation. The X-ray diffraction analysis indicates that the material Ag2SnSe3 crystallizes with main phase in the monoclinic system with space group Cc, and unit cell parameters: a = 7.18 A, b = 10.55 A, c = 6.70 A, β= 111.98ºC, and second phases, being identified until the moment SnSe2. Artículo publicado en: Revista Mexicana de Física 53 (7) 262-264
Fecha: 27-Mar-2008
Palabras Claves: Semiconductores
Análisis térmico
Difracción de rayos-X en muestras policristalinas
Palabras Clave: Semiconductors
Thermal analysis
X-ray powder diffraction
URI: http://www.saber.ula.ve/handle/123456789/16944
Aparece en colecciones:Articulos, Pre-prints (Facultad de Ciencias)
Articulos, Pre-prints (Centro de Estudios de Semiconductores)

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