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Título: Electrical properties of the ternary compound Cu2GeSe3.
Autores: Villarreal, Manuel
Fernández, Braulio J.
Pirela B., María E.
Velásquez Velásquez, Ana
Correo Electrónico: mavu@ula.ve
braulio@ula.ve
mpireira@ula.ve
anita@ula.ve
Editor: SABER ULA
Resumen: Electrical properties of the ternary compound Cu2GeSe3. Villarreal, Manuel; Fernández, Braulio J.; Pirela B., María E. and Velásquez Velásquez, Ana Resumen We report in this work the temperature dependence of the electrical resistivity and the Hall effect on p-type Cu2GeSe3 in the temperature range from 80 to 300 K and under a magnetic field of 15 kG. The data is analysed assuming the two-band conductivity model, that is, the impurity band and the valence band. Employing this model we were able to obtain the temperature dependence of the ratio between the charge carrier concentrations in both bands. From the analysis of the carrier concentration in the valence-band pvand the impurity-band pa, the ionization energy is estimated to be around 26 meV. The mobility temperature dependence is analyzed by taking into account the scattering of charge carriers by acoustic phonons, polar optic phonons and thermally activated hopping. From the analysis, the activation energy is estimated to be around 18 meV. Abstract En este trabajo presentamos la dependencia de la resistividad eléctrica y el coeficiente de Hall del compuesto Cu2GeSe3 tipo-p,en función de la temperatura desde 80 hasta 300 K y bajo un campo magnético de 15 kG. Los resultados son analizados considerando el modelo de conductividad de dos bandas, esto es, la banda de impurezas y la banda de valencia. Utilizando este modelo, obtenemos la dependencia de la razón de las concentraciones de portadores de carga en ambas bandas, en función de la temperatura. Del análisis de la concentración de portadores en la banda de valencia pv y la banda de impurezas pa, la energía de ionización determinada es aproximadamente 26 meV. La dependencia de la movilidad con la temperatura es analizada tomando en cuenta los diferentes procesos de scattering de los portadores de carga con los fonones acústicos, fonones ópticos polares y hopping térmicamente activado. Del análisis, la energ´ia de activación determinada es aproximadamente 18 meV. Artículo publicado en: Revista Mexicana de Física 53 (7) 303-306.
Fecha: 27-Mar-2008
Palabras Claves: Semiconductores
Nuevos materiales
Propiedades eléctricas
Palabras Clave: Semiconductors
New materials
Electrical properties
URI: http://www.saber.ula.ve/handle/123456789/16940
Aparece en colecciones:Articulos, Pre-prints (Facultad de Ciencias)
Articulos, Pre-prints (Centro de Estudios de Semiconductores)

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