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Propiedades ópticas del sistema semiconductor Cu2(1-x)AgG2xeSe3

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Texto completo (295.8Kb)
Fecha
2013
Autor
Calderón Quintero, Ernesto
Villarreal, Manuel
Fernández, Braulio J.
Salas, Menjamin
Pérez Araujo, José Fernando
Nieves, Luis
Palabras Clave
Aleación de materiales semiconductores, Absorción óptica, Brecha de energía, Expansión térmica, Interacción electrón fonón
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Resumen
En este trabajo hemos investigado las propiedades ópticas en la aleación Cu2(1-x)AgG2xeSe3 midiendo el borde fundamental de absorción en función de la temperatura para la concentración x = 0 en el rango de 10 hasta 300 K y para las concentraciones x = 0.25, 0.5, 0.75, 1 a temperatura ambiente. La brecha de energía para todas las concentraciones fue calculada utilizando el modelo de Elliot-Toyozawa. La dependencia lineal cerca del borde fundamental confirma que todos los compuestos a las diferentes concentraciones poseen un carácter semiconductor y presentan una brecha de energía directa en el infrarrojo cercano a temperatura y presión ambiente. El compuesto Cu GeSe presenta un incremento de la brecha de energía a medida que la temperatura disminuye. Este comportamiento depende principalmente de tres efectos que se generan a bajas temperaturas: expansión térmica, interacción electrón-fonón y efecto del factor Debye-Waller. Las curvas de la brecha de energía en función de la temperatura para este compuesto fueron ajustadas a un modelo semiempírico que considera dos de los tres efectos nombrados anteriormente cuyo comportamiento es similar a los observados en los semiconductores de las familias Cu-III-VI y Cu -IV-VI . Con respecto al estudio de la variación de la brecha de energía en función de las concentraciónes, x = 0, 0.25, 0.5 y 1 a temperatura y presión ambiente, no se encuentran reportes hasta el momento. El sistema Cu2(1-x)AgG2xeSe3 presenta una concavidad hacia arriba en la curva de la brecha de energía óptica en función de la concentración descrita por una ecuación tipo Eg(x)= a + bx + cx2.
URI
http://www.saber.ula.ve/handle/123456789/38264
Colecciones
  • Articulos, Pre-prints (Centro de Estudios de Semiconductores)
  • Articulos, Pre-prints (Núcleo Rafael Rangel (NURR))
Información Adicional
Otros TítulosOptical properties of the semiconductors system Cu2(1-x)AgG2xeSe3
Correo Electrónicosaernest@ula.ve, cernesto63@hotmail.com
mavu@ula.ve
braulio@ula.ve
josperez@ula.ve
EditorRev. LatinAm. Metal. Mat. 2013; 33 (2)
DescripciónArtículo publicado en: Rev. LatinAm. Metal. Mat. 2013; 33 (2): 265-271
Colación265-271

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