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dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/ve/
dc.contributor.authorMiranda, David A.
dc.contributor.authorLópez Rivera, Santos Adan
dc.contributor.authorMora, A. E.
dc.date.accessioned2011-06-21T21:31:03Z
dc.date.available2011-06-21T21:31:03Z
dc.date.issued2011-06-21T21:31:03Z
dc.identifier.isbn1856-3201es_VE
dc.identifier.urihttp://www.saber.ula.ve/handle/123456789/33367
dc.description.abstractSe estudió el efecto sobre las imágenes de electrones secundarios, retrodispersados y EDS debidos a la aplicación de un potencial eléctrico externo sobre una muestra semiconductora de GaAs. La distribución de potencial sobre la muestra fue modelada por elementos finitos, encontrándose similitudes significativas entre el modelo y las imágenes de electrones secundarios tomadas en la muestra semiconductora. Los resultados obtenidos evidencian que la distribución de potencial eléctrico sobre la superficie del GaAs afecta las imágenes de electrones secundarios, más no las imágenes de electrones retrodispersados ni de EDS.es_VE
dc.language.isoeses_VE
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectDistribución superficiales_VE
dc.subjectPotencial eléctricoes_VE
dc.subjectSemiconductor GaAses_VE
dc.subjectMicroscopía electrónicaes_VE
dc.titleEfecto de la distribución superficial de potencial eléctrico en GaAs, debida a un potencial eléctrico externo, sobre imágenes de electrones secundarios en microscopía electrónica de barridoes_VE
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.description.abstract1The effects upon the images of secondary electrons, back-scattered electrons and energy dispersive spectroscopy (EDS) spectrum, due to an external electrical potential applied to a GaAs semiconductor surface, were studied. The potential distribution over the semiconductor surface was modeled by finite elements. Significant similarities between the model and secondary electrons images were observed. The results show that the GaAs surface electrical potential distribution affects the images of secondary electrons, but it does not affect the images of neither the backscattering electrons nor the EDS.es_VE
dc.description.colacion9-15es_VE
dc.description.emaildalemir@uis.edu.coes_VE
dc.description.frecuenciacuatrimestrees_VE
dc.identifier.depositolegal200502ME2052es_VE
dc.subject.departamentoDepartamento de Químicaes_VE
dc.subject.facultadFacultad de Cienciases_VE
dc.subject.keywordsEDS imageses_VE
dc.subject.keywordsGaAs semiconductores_VE
dc.subject.publicacionelectronicaRevista Avances en Químicaes_VE
dc.subject.seccionRevista Avances en Química: Nota Técnicaes_VE
dc.subject.thematiccategoryQuímicaes_VE
dc.subject.tipoRevistases_VE
dc.type.mediaTextoes_VE


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